日時: 2026年 3月 6日(金) 13:00-17:00
場所:国際ファッションセンター KFCホール(東京 両国)10F Room108
東京・両国の貸し会議室・イベントホール KFC Hall & Rooms (tokyo-kfc.co.jp)
研究会参加費:無料
参加申し込み:2月 13日(金) 17:00まで
※クローズドな研究会となるため参加ご希望者は事務局(secretariat@inanot.sakura.ne.jp)へご連絡ください。
プログラム:
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- SiCとGaNにおけるMOSチャネル移動度とMOS界面の解析課題
平井 悠久 氏 産業技術総合研究所 - β-Ga2O3の欠陥評価技術
石川 由加里 氏 ファインセラミックスセンター - ワイドバンドギャップ半導体中へのスピン欠陥形成と量子センシング応用
大島 武 氏 量子科学技術研究開発機構・東北大学大学院工学研究科
- SiCとGaNにおけるMOSチャネル移動度とMOS界面の解析課題
懇親会:両国駅近辺 17:30~2時間程度