タイムテーブル

09:20 – 09:30

(1) 開会挨拶 (ナノテスティング学会会長 中前幸治)

09:30 – 10:30

(I1) ナノ材料管理のための複合計測システムの開発と計測分析機器の出力データフォーマット共通化 (一村 信吾)

中前幸治

09:30 – 09:55

(8) NEA半導体フォトカソードを電子源とするパルス走査電子顕微鏡を用いた時間分解計測 (森下 英郎, 大嶋 卓, 桒原 真人, 揚村 寿英, 小瀬 洋一, 高根 大地, 齋藤 勉)

山崎裕一郎

09:30 – 10:30

(I4) 多光子励起フォトルミネッセンスによるワイドギャップ半導体の結晶欠陥評価技術 (谷川 智之)

寺田 浩敏

09:55 – 10:20

(9) SiCウェハ表面に導入された研磨ダメージの結晶欠陥分布と ミラー電子像で形成されるコントラストの関係 (迫 秀樹, 林 将平, 大平 健太郎, 小林 健二, 一色俊之)

山崎裕一郎

10:40 – 10:47

(C1) パルスレーザー高速試料加工装置紹介の利点 (鈴木 和弘, 市川 聡, Oytun Tasgit)

前田一史

10:50 – 11:15

(2) デバイス評価用サンプル作製に向けたウェーハ薄化プロセスにおける表面粗さ制御 (Y. I Kawamura, A. Uvarov, A. Pageau, H. Shibata, T. Lazerand)

小瀬洋一

10:47 – 10:54

(C2) EOP を用いた故障解析におけるCAD-navi 活用事例 (井本 努, 平井 一寛)

前田一史

10:54 – 11:01

(C3) エミッション顕微鏡用　Sequencerソフトウエア U15707-03 (藤原 将伸, 工藤 宏平, 鈴木 伸介, 山田 拓也, 加納 裕次郎)

前田一史

10:50 – 11:15

(14) 全方位フォトルミネッセンス分光法による結晶品質の評価 (鈴木 健吾)

小島一信

11:01 – 11:08

(C4) エミション顕微鏡と周辺装置 (越川, 沼尻, 中島)

前田一史

11:08 – 11:15

(C5) Imina Technologies社ナノプロービングソリューション (Y. Nakayama)

前田一史

11:15 – 11:40

(3) プロセス評価を目的とした真円度と円形度を用いたホール形状の評価 (中尾 博樹, Woo Jun Know, Christopher Kang, 田中 英夫)

小瀬洋一

11:15 – 11:22

(C6) トランジスタの特性評価と故障特定におけるThermo Fisher Hyperion II AFMベースのナノプローブシステムの優位性 (小屋 義人)

前田一史

11:22 – 11:29

(C7) EBAC 像解析ソフト Image Data Manager のご紹介 (布施 潤一, 嶋守 智子, 呉 雨沢, 小沢 賢, 綿引 勝, 備藤 七生, 土方 基也)

前田一史

11:29 – 11:36

(C8) Analysis system AZSA series (K. Konishi)

前田一史

11:15 – 11:40

(15) 平面カソードルミネッセンスによるイオン注入ダメージの深さ分布推定 (杉江 隆一, 内田 智之)

小島一信

11:36 – 11:43

(C9) オージェ電子分光装置(JAMP-9510F)による “Spectrum Image”を用いたSiCデバイスpn接合の可視化 (K. Ikita)

前田一史

11:43 – 11:50

(C10) 最新のSEM/FIBデュアルビーム装置Helios6HDのご紹介 (宗田 俊彦)

前田一史

11:50 – 11:57

(C11) カールツァイスにおけるTEMラメラ作製ワークフローの進歩 (小幡 卓眞, 小田 武秀, 前田 悦男)

前田一史

11:57 – 12:04

(C12) SiC/GaN及びほとんどの半導体新材料の移動度・シート抵抗非接触測定技術 (加藤 巌, S. Salam, 熊懐 正彦)

前田一史

12:00 – 13:15

昼食休憩

12:04 – 12:11

(C13) SiC/GaN他WideGap半導体の電気的欠陥測定 (加藤 巌, サラム スマイ, 熊懐 正彦)

前田一史

12:11 – 12:18

(C14) LSIプロセス診断のためのFin-FET構造の評価基準の構築 (大谷直己, 柳生瑛子, 立山博丈, 村上功, 谷田川裕生, 浅井憲二, 高森圭)

前田一史

12:00 – 13:15

昼食休憩

nanots

12:18 – 13:41

日立の新しいナノプロービングシステムとAI機能搭載のFIB-SEM技術のご紹介

nanots

13:15 – 14:15

(I2) 製造業での生成AI導入事例Talkative Productsの事業背景と技術課題 (苗村 万紀子)

樋口裕久

13:15 – 14:15

(I5) 究極のパワー半導体「ダイヤモンド半導体」の現状と展望 〜 ディープテックスタートアップの創業の物語 〜 (藤嶌 辰也)

小山徹

13:41 – 14:06

(10) X-ray nano-tomography enables high-resolution investigations from micro-bumps to hybrid bonding in advanced packaging (T. Dreier, S. Tanaka)

二川清

14:06 – 14:31

(11) 新型ナノX線CT装置を用いた半導体アプリケーション (大垣 智巳)

二川清

14:35 – 15:00

(4) 半導体断面構造の画像認識モデルを用いた自動 SEM 観察技術 (土橋 高志, 山本 浩之. 大森 健史)

姜帥現

14:35 – 15:00

(16) 低加速電圧SEMと各種CL検出器による化合物半導体の分析 (大塚 岳志, 中島 雄平, 朝比奈 俊輔, 名越 達郎, 岡野 康之)

辻田順彦

14:51 – 15:16

(12) AIを活用した高精度位置推定技術 (太田 和男, 杉山 和弘, 内田 美幸)

長康雄

15:00 – 15:25

(5) 半導体測長用電子顕微鏡画像の生成AIモデルの構築とそれに基づく試料情報推定 (淺野 修一朗, 御堂 義博, 塩見 準, 三浦 典之)

姜帥現

15:00 – 15:25

(17) 走査型非線形誘電率顕微鏡法を用いた3C-SiC/4H-SiC積層構造MOS界面の定量評価 (長 康雄, 長澤 弘幸, 櫻庭 政夫, 佐藤 茂雄)

辻田順彦

15:16 – 15:41

(13) ロックイン技術を用いたEBAC感度向上評価（同期式-電子ビーム吸収電流法） (片倉 康雄, 辻田 順彦, 河村 俊夫)

長康雄

15:45 – 16:10

(6) CVNetを用いた頑健なパターン輪郭抽出法の検討 (村上 慎治, 大家 政洋, 岡本 陽介, 中澤 伸一, 丸山 浩太郎, 山崎 裕一郎, 御堂 義博, 三浦典之)

朝比奈俊輔

15:45 – 16:10

(18) 半導体解析における機械学習活用事例 ～ワイヤーボンド合金率測定の自動化～ (佐々木 晶邦, 里 隼也, 辻田 順彦, 石田 宏之, 河村 俊夫)

二川清

16:10 – 16:35

(7) 高加速SEMのシースルーBSE画像における高度な下層パターン輪郭抽出機能開発 (大家 政洋, 岡本 陽介, 中澤 伸一, 丸山 浩太郎, 山崎 裕一郎, 村上 慎治, 御堂 義博, 三浦典之)

朝比奈俊輔

16:01 – 17:01

(I3) 電動車用パワー半導体の進化と開発動向 (藤原 広和)

中前幸治

16:10 – 16:35

(19) 3次元ナノワイヤGaN結晶中の不純物ドーピング評価 (曽根 直樹, 奥田 廉士, 野村 明宏, 上山 智, 岩谷 素顕, 竹内 哲也)

二川清

16:55 – 17:00

(20) 閉会挨拶 (中前 幸治)

18:00 – 20:00

イブニングセッションでは、ナノテスティングに関する、世界での研究動向の報告と今後の展望について討論を行います。 P&A研究会の活動内容紹介(小山 徹)

nanots

09:20 – 09:30

(1) 開会挨拶 (ナノテスティング学会会長 中前幸治)

09:30 – 10:30

(I1) ナノ材料管理のための複合計測システムの開発と計測分析機器の出力データフォーマット共通化 (一村 信吾)

中前幸治

09:30 – 10:30

(I4) 多光子励起フォトルミネッセンスによるワイドギャップ半導体の結晶欠陥評価技術 (谷川 智之)

寺田 浩敏

13:15 – 14:15

(I2) 製造業での生成AI導入事例Talkative Productsの事業背景と技術課題 (苗村 万紀子)

樋口裕久

13:15 – 14:15

(I5) 究極のパワー半導体「ダイヤモンド半導体」の現状と展望 〜 ディープテックスタートアップの創業の物語 〜 (藤嶌 辰也)

小山徹

16:01 – 17:01

(I3) 電動車用パワー半導体の進化と開発動向 (藤原 広和)

中前幸治

10:50 – 11:15

(2) デバイス評価用サンプル作製に向けたウェーハ薄化プロセスにおける表面粗さ制御 (Y. I Kawamura, A. Uvarov, A. Pageau, H. Shibata, T. Lazerand)

小瀬洋一

11:15 – 11:40

(3) プロセス評価を目的とした真円度と円形度を用いたホール形状の評価 (中尾 博樹, Woo Jun Know, Christopher Kang, 田中 英夫)

小瀬洋一

12:00 – 13:15

昼食休憩

12:00 – 13:15

昼食休憩

nanots

14:35 – 15:00

(4) 半導体断面構造の画像認識モデルを用いた自動 SEM 観察技術 (土橋 高志, 山本 浩之. 大森 健史)

姜帥現

15:00 – 15:25

(5) 半導体測長用電子顕微鏡画像の生成AIモデルの構築とそれに基づく試料情報推定 (淺野 修一朗, 御堂 義博, 塩見 準, 三浦 典之)

姜帥現

15:45 – 16:10

(6) CVNetを用いた頑健なパターン輪郭抽出法の検討 (村上 慎治, 大家 政洋, 岡本 陽介, 中澤 伸一, 丸山 浩太郎, 山崎 裕一郎, 御堂 義博, 三浦典之)

朝比奈俊輔

16:10 – 16:35

(7) 高加速SEMのシースルーBSE画像における高度な下層パターン輪郭抽出機能開発 (大家 政洋, 岡本 陽介, 中澤 伸一, 丸山 浩太郎, 山崎 裕一郎, 村上 慎治, 御堂 義博, 三浦典之)

朝比奈俊輔

09:30 – 09:55

(8) NEA半導体フォトカソードを電子源とするパルス走査電子顕微鏡を用いた時間分解計測 (森下 英郎, 大嶋 卓, 桒原 真人, 揚村 寿英, 小瀬 洋一, 高根 大地, 齋藤 勉)

山崎裕一郎

09:55 – 10:20

(9) SiCウェハ表面に導入された研磨ダメージの結晶欠陥分布と ミラー電子像で形成されるコントラストの関係 (迫 秀樹, 林 将平, 大平 健太郎, 小林 健二, 一色俊之)

山崎裕一郎

10:40 – 10:47

(C1) パルスレーザー高速試料加工装置紹介の利点 (鈴木 和弘, 市川 聡, Oytun Tasgit)

前田一史

10:47 – 10:54

(C2) EOP を用いた故障解析におけるCAD-navi 活用事例 (井本 努, 平井 一寛)

前田一史

10:54 – 11:01

(C3) エミッション顕微鏡用　Sequencerソフトウエア U15707-03 (藤原 将伸, 工藤 宏平, 鈴木 伸介, 山田 拓也, 加納 裕次郎)

前田一史

11:01 – 11:08

(C4) エミション顕微鏡と周辺装置 (越川, 沼尻, 中島)

前田一史

11:08 – 11:15

(C5) Imina Technologies社ナノプロービングソリューション (Y. Nakayama)

前田一史

11:15 – 11:22

(C6) トランジスタの特性評価と故障特定におけるThermo Fisher Hyperion II AFMベースのナノプローブシステムの優位性 (小屋 義人)

前田一史

11:22 – 11:29

(C7) EBAC 像解析ソフト Image Data Manager のご紹介 (布施 潤一, 嶋守 智子, 呉 雨沢, 小沢 賢, 綿引 勝, 備藤 七生, 土方 基也)

前田一史

11:29 – 11:36

(C8) Analysis system AZSA series (K. Konishi)

前田一史

11:36 – 11:43

(C9) オージェ電子分光装置(JAMP-9510F)による “Spectrum Image”を用いたSiCデバイスpn接合の可視化 (K. Ikita)

前田一史

11:43 – 11:50

(C10) 最新のSEM/FIBデュアルビーム装置Helios6HDのご紹介 (宗田 俊彦)

前田一史

11:50 – 11:57

(C11) カールツァイスにおけるTEMラメラ作製ワークフローの進歩 (小幡 卓眞, 小田 武秀, 前田 悦男)

前田一史

11:57 – 12:04

(C12) SiC/GaN及びほとんどの半導体新材料の移動度・シート抵抗非接触測定技術 (加藤 巌, S. Salam, 熊懐 正彦)

前田一史

12:04 – 12:11

(C13) SiC/GaN他WideGap半導体の電気的欠陥測定 (加藤 巌, サラム スマイ, 熊懐 正彦)

前田一史

12:11 – 12:18

(C14) LSIプロセス診断のためのFin-FET構造の評価基準の構築 (大谷直己, 柳生瑛子, 立山博丈, 村上功, 谷田川裕生, 浅井憲二, 高森圭)

前田一史

12:18 – 13:41

日立の新しいナノプロービングシステムとAI機能搭載のFIB-SEM技術のご紹介

nanots

13:41 – 14:06

(10) X-ray nano-tomography enables high-resolution investigations from micro-bumps to hybrid bonding in advanced packaging (T. Dreier, S. Tanaka)

二川清

14:06 – 14:31

(11) 新型ナノX線CT装置を用いた半導体アプリケーション (大垣 智巳)

二川清

14:51 – 15:16

(12) AIを活用した高精度位置推定技術 (太田 和男, 杉山 和弘, 内田 美幸)

長康雄

15:16 – 15:41

(13) ロックイン技術を用いたEBAC感度向上評価（同期式-電子ビーム吸収電流法） (片倉 康雄, 辻田 順彦, 河村 俊夫)

長康雄

18:00 – 20:00

イブニングセッションでは、ナノテスティングに関する、世界での研究動向の報告と今後の展望について討論を行います。 P&A研究会の活動内容紹介(小山 徹)

nanots

10:50 – 11:15

(14) 全方位フォトルミネッセンス分光法による結晶品質の評価 (鈴木 健吾)

小島一信

11:15 – 11:40

(15) 平面カソードルミネッセンスによるイオン注入ダメージの深さ分布推定 (杉江 隆一, 内田 智之)

小島一信

14:35 – 15:00

(16) 低加速電圧SEMと各種CL検出器による化合物半導体の分析 (大塚 岳志, 中島 雄平, 朝比奈 俊輔, 名越 達郎, 岡野 康之)

辻田順彦

15:00 – 15:25

(17) 走査型非線形誘電率顕微鏡法を用いた3C-SiC/4H-SiC積層構造MOS界面の定量評価 (長 康雄, 長澤 弘幸, 櫻庭 政夫, 佐藤 茂雄)

辻田順彦

15:45 – 16:10

(18) 半導体解析における機械学習活用事例 ～ワイヤーボンド合金率測定の自動化～ (佐々木 晶邦, 里 隼也, 辻田 順彦, 石田 宏之, 河村 俊夫)

二川清

16:10 – 16:35

(19) 3次元ナノワイヤGaN結晶中の不純物ドーピング評価 (曽根 直樹, 奥田 廉士, 野村 明宏, 上山 智, 岩谷 素顕, 竹内 哲也)

二川清

16:55 – 17:00

(20) 閉会挨拶 (中前 幸治)