ナノテスティングシンポジウム（旧名称 LSIテスティングシンポジウム）は、ナノスケールの構造を持った材料・デバイスのテスティング技術に関し、設計、プロセス、テストおよび設計・製造・テスト装置分野の研究者が一堂に会し議論する場を提供することを目的として、毎年開催されています。シンポジウムの主題は、以下の通りです。
- ナノテスティングのための先進設計手法
- 設計エラー診断
- デバッグと診断容易化設計(DFD)
- 製造容易化設計(DFM)
- 信頼性容易化設計(DFR)
- テスタビリティ容易化設計(DFT)
- 歩留り容易化設計(DFY)
- ナノテスティングのための先進プロセス技術
- 配線：銅/低誘電率膜（low-k 材料）信頼性
- ウェーハ準備
- ウェーハの物理的特性
- ウェーハの電気的特性
- 表面準備：表面処理の制御とモニタリング
- クリーニング
- プロセスコントロール
- ドーパント拡散
- 酸化とゲート誘電体：誘電体薄膜の計測
- リソグラフィ
- フォトマスク製作：フォトマスク品質
- 装置信頼性
- インライン計測
- リソグラフィプロセスの計測
- フロントエンドプロセス（FEL）の計測
- 配線プロセス制御
- ファブ内FIB
- その場計測
- 歩留りモデル
- 歩留り管理
- 電気的、物理的、および化学的特性
- 先進ナノテスティング
- システムオンチップ（SOC）テスティング
- メモリテスティング
- 遅延テスティング
- 低消費電力テスティング
- 組込自己テスティング
- ソフトウェアベースの自己テスティング
- アナログとミックスド信号テスティング
- IDDQ テスティング
- バーインテスティング
- FPGA テスティング
- 高速I/Oテスティング
- RF テスティング
- 信頼性物理と信頼性工学
- 故障の確率モデル
- 加速寿命試験
- 寿命データ解析
- 集積回路への放射線効果
- 半導体デバイスへの放射線効果
- 緩和技術
- 先進のIC レベルのデバッグと診断
- シリコンデバッグ
- 欠陥診断
- 原因-結果分析法
- 結果-原因分析法
- スキャンチェーン診断
- ロジックBIST 診断
- メモリ診断と自己修復
- デバッグと診断のための先進プロービング技術
- ダイ露出
- 機械的プロービング
- ビーム照射による観測
- 電子ビーム（EBT, EBIC, RCI/EBAC)
- レーザビーム（LVP, 加熱抵抗変動法（静的：OBIRCH, 動的：SDL））
- 発光観測（静的：PEM、動的：TRE)
- その他
- デバッグと診断のための先進回路編集
- 集束イオンビーム（FIB）
- レイアウト-データベース駆動ナビゲーションシステム
- 故障解析のための物理解析
- パッケージ解析
- デプロセッシング
- 平行面ポリッシング
- 断面解析
- 顕微鏡法
- 透過電子顕微鏡法
- その他
- 故障解析のための化学的特性評価
- X 線分析（エネルギー分散）
- オージェ
- 2次イオン質量スペクトロスコピィ(SIMS)
- マイクロスポットフーリエ変換赤外スペクトロスコピィ（FTIR）
- その他
- 新材料およびトランジスタの故障メカニズム
- プロセス関連の問題
- ホットキャリア
- NBTI
- PBTI
- 保護膜安定性
- 誘電体の完全性
- 高誘電率（high-k）ゲート酸化膜
- ラッチアップ
- ESD
- 金属マイグレーション: 機械的な面と熱的な面
- 低誘電率膜（low-k 材料）誘電体とCu 配線
- ナノテクノロジに関する信頼性
- ナノテスティングの経済性
- 経済効果
- 経済モデル
- 学習曲線
- 技術の駆動力
- 工場および装置の経済
- 新デバイスのテスティング（バイオ科学、医療応用、健康モニタリングを含む）
- MEMS
- バイオMEMS
- センサー
- 液晶ディスプレイ(LCD)
- ナノチューブ
- PRAM
- RRAM
- FRAM
- その他
- 先進のテスティング装置・システム
- 透過電子顕微鏡(TEM)
- 走査電子顕微鏡(SEM)
- 集束イオンビーム(FIB)
- 走査プローブ顕微鏡
- その他
- ナノテスティングの事例
- 電気特性評価
- ダイ露出
- パッケージ解析
- グローバル故障個所絞り込み
- プローブによる故障個所絞り込み
- 欠陥露出
- 物理的検査
- 化学的分析